三极管原理是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β（β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。 6AT3v6V @{Hn 三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫建立偏置，否则会放大失真。4F\+HpV/^ _ C 在三极管的集电极与电源之间接一个电阻，可将电流放大转换成电压放大：当基极电压UB升高时，IB变大，IC也变大，IC 在集电极电阻RC的压降也越大，所以三极管集电极电压UC会降低，且UB越高，UC就越低，ΔUC=ΔUB。
　　三极管原理与直流电源相连，由直流电源提供功率放大所需的能量。
　　基级电流很小，但是由它引起的集电极电流变化却很大（主要针对npn管，pnp管放大能力相对弱），至于为什么能使集电极电流变化很大，最好看一下晶体管原理对晶体管内部电流的分析。有图是最好的，否则光靠文字说，不太好理解。
　　再补充一点，从载流子角度来说，基级电流相当于提供发射极电流在基区复合掉的那部分，而发射极电流在流经基区时，有很少一部分与基区载流子复合（从晶体管结构来说，基区掺杂很低，也就是载流子浓度低，所以复合少），那么也就是说发射极电路损失少，那么基级电流补充的也就少，即基级电流很小。
　　发射极电流既然大部分都免于复合，那么就到达了集电极，成为集电极电流，这部分相对于复合的部分来说是很大的。这样从外部看，三极管就有了放大作用~
　　其共同特征就是具有三个电极，这就是“三极管”简称的来历。通俗来讲，三极管内部为由P型半导体和N型半导体组成的三层结构，根据分层次序分为NPN型和PNP型两大类。
　　上述三层结构即为三极管的三个区, 中间比较薄的一层为基区，另外两层同为N型或P型，其中尺寸相对较小、多数载流子浓度相对较高的一层为发射区，另一层则为集电区。三极管原理的这种内部结构特点，是三极管能够起放大作用的内部条件。